Showing 25 of 341 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820ASTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820ASTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820C
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823
Texas Instruments
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2A I(D),TO-220AB | IRF823 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820S
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF820S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF8252TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF8252TRPBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823FI
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823FI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-015PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821FI
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF821FI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF821 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820SPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3 | IRF820SPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF821-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820STRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF820STRLPBF |
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