Showing 25 of 904 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9642-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9642-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9640-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9640-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9623-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9623-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9641-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9641-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9612
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9611-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 150V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9611-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9630-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9633
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9633 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9610STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9610STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9640-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9640-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9622-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9622-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9640-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9640-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9642-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9642-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9623-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9623-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9640-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9640-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9633
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 150V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF9633 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9630-031PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9610F
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9610F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9633-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9633-004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9640SPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9640SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9640
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9640 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9620STRLPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9620STRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||