Showing 25 of 342 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR24N15DTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR24N15DTRRPBF |
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IRFR214PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR214PBF |
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IRFR2607ZTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2607ZTRL |
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IRFR221
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR221 |
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IRFR211
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR211 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2407TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2407TRRPBF |
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IRFR224TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR224TR |
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IRFR234A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR234A |
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IRFR220TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220TF |
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IRFR220
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220 |
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IRFR220TRL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR220TRL |
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IRFR230ATM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR230ATM |
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IRFR222
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR222 |
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IRFR220NTRHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220NTRHR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR24N15DTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR24N15DTRPBF |
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IRFR210
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR210 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220NTR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2405TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2905ZTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2905ZTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR221
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR221 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR214BTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR214BTM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220,118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR220,118 |
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IRFR210A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR210A |
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IRFR2307ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2307ZPBF |
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