Showing 25 of 342 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR214
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR214 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR24N15DTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR24N15DTRR |
0
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IRFR222
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR222 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR222-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR222-T1 |
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IRFR214BTM_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR214BTM_FP001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR210PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR210PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220NTRRPBF |
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IRFR224TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR224TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR210
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR210 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2407TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2407TRRPBF |
0
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IRFR224ATF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR224ATF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220,118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR220,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220TRL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR220TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR211
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220TRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR220TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR210A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR210A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2307ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2307ZPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2405TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR221
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR221 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR24N15DTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR24N15DTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220NTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220NTR |
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IRFR24N15DTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR24N15DTRPBF |
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IRFR2405
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405 |
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