Showing 25 of 317 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ67230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ67230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ4130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ4130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597034CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ597034CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ9130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ9130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ93130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ93130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ93230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ93230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ63130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ63130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ58Z30PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ58Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ58Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ58Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ6S7230SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ6S7230SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ67130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ67130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ54Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ54Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ54130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ54130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ54034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ54034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7330SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.39ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ7330SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597130SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ597130SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597Z30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ597Z30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ8230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ8230PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ58130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ58130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ6S7130SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ6S7130SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJC597034
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJC597034 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ594230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.505ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ594230PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ594130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ594130PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||