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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD500R65KE3KNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel | FD500R65KE3KNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD16001200R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FD16001200R17KF6CB2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FZ1600R17KE3B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ800R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1500A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel | FZ800R33KL2CB5NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD400S45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 400A, 4500V V(RRM), Silicon | DD400S45KL3B5NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF800R12KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FF800R12KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1200R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2000A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel | FZ1200R33KF2CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6MS20017E43W37032NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | 6MS20017E43W37032NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF400R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FF400R12KL4CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD800S17K3B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 1700V V(RRM), Silicon | DD800S17K3B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF600R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FF600R12KL4CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ800R12KS4B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FZ800R12KS4B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6PS04512E43G37986NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel | 6PS04512E43G37986NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1900A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FZ1200R17KE3B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD600R17KE3KB5NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1700V V(BR)CES | FD600R17KE3KB5NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1200R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1950A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FZ1200R17KF6CB2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FF1200R12KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1200R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FZ1200R12KL4CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2PS18012E44G38553NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel | 2PS18012E44G38553NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF401R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1700V V(BR)CES | FF401R17KF6CB2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ800R12KF4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FZ800R12KF4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF400R12KF4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FF400R12KF4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD400R65KF1KNOSA1
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel | FD400R65KF1KNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ400R65KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel | FZ400R65KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FT150R12KE3GB4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FT150R12KE3GB4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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