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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRF3701IRHCG4
Texas Instruments
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1 | RF and Baseband Circuit, PQCC16 | TRF3701IRHCG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707ZCSTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707ZCSTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3706LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3706LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707ZSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707ZSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSGRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 370ohm, 350V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF1WSGRF370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707ZCSTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707ZCSTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRF3702IRHCR
Texas Instruments
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1 | RF and Baseband Circuit, PQCC16 | TRF3702IRHCR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3707L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709STRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707ZCSTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707ZCSTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707ZCSTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707ZCSTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709Z
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3709Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF207GRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.6W, 370ohm, 250V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF207GRF370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707ZCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707ZCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3709L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707STRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF3707STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709STRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR-25DRF370K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 370000ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR-25DRF370K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3709ZTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR2WSCRF-370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 370ohm, 500V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MFR2WSCRF-370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3706TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3706TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRF370417TDA1
Texas Instruments
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1 | RF and Baseband Circuit | TRF370417TDA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSBRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 370ohm, 350V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF1WSBRF370R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZCSTRRP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF3704ZCSTRRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||