Showing 25 of 222 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP256
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP256 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP255
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP255 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP250N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250H50TC
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-250H50TC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250-4AA20
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-250250-4AA20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP254NPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250-50RM
TTM Technologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 250W, 50ohm, 5% +/-Tol, Surface Mount, | RFP-250-50RM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250-6Y100-2
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 2000MHz Max | RFP-250250-6Y100-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP253 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP253 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
Rochester Electronics LLC
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1 | 33A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP253 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-25-3APZ
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-25-3APZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D707YXXXRFP250
Texas Instruments
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1 | Digital Signal Processor, CMOS | D707YXXXRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250-4Z50-2
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-250250-4Z50-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251
Rochester Electronics LLC
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1 | 33A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||