Showing 25 of 3168 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
REA101M2CSDF1620
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 100uF, | REA101M2CSDF1620 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JDAEGU1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF140JDAEGU1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
REA682M1ASDF1620B
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 6800uF, | REA682M1ASDF1620B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CFS-DF-1425
SPC Multicomp
|
1 | Push-On Terminal | CFS-DF-1425 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS52SDF-106.25
Fox Electronics
|
1 | HCMOS Output Clock Oscillator, 106.25MHz Nom | FSS52SDF-106.25 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100GAFEHD1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFEHD1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF130JDAEGSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | SDF130JDAEGSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF150JABEHSB
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF150JABEHSB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100JEBVHU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBVHU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JABVGSZ
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF140JABVGSZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100JEDVGU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEDVGU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF12N90GAFVHU1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N90GAFVHU1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RGA332M1ASDF1616P
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3300uF, | RGA332M1ASDF1616P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF120JDAVHSZ
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF120JDAVHSZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JABVGSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF140JABVGSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT36LSDF12872G-10EXX
Micron Technology Inc
|
1 | Synchronous DRAM Module, 128MX72, 6ns, CMOS, DMA168 | MT36LSDF12872G-10EXX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100JEBSGD1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBSGD1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF150JAAEGSB
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF150JAAEGSB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF12N90GAFXGU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N90GAFXGU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF150JABXHSB
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF150JABXHSB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF1NA60JDAXHD1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF1NA60JDAXHD1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RGA471M1HSDF1616B
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 470uF, | RGA471M1HSDF1616B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N90GAFSHD1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N90GAFSHD1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JABEGU1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF140JABEGU1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JAASHD1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF140JAASHD1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||