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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAASGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAASGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABXHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABXHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF65-4
Intertech Resources Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 65A, 400V V(RRM), Silicon | ISDF65-4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAXGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAXGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464LHY-13EXX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, ZMA144 | MT16LSDF6464LHY-13EXX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF603
Solitron Devices Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | SDF603 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABXHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464HG-133
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144 | MT16LSDF6464HG-133 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAASHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAASHU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464LHG-10E
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 6ns, CMOS, PDMA144 | MT16LSDF6464LHG-10E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464HG-13EXX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, ZMA144 | MT16LSDF6464HG-13EXX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAASHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAASHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABVHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABVHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABXGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABXGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT18LSDF6472G-10E
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, PDMA168 | MT18LSDF6472G-10E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464HY-133XX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, ZMA144 | MT16LSDF6464HY-133XX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAVHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAVHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABXGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABXGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF605
Solitron Devices Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | SDF605 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAASGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAASGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464HY-13EXX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, ZMA144 | MT16LSDF6464HY-13EXX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAXGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAXGU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6NA100SXHXB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6NA100SXHXB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAXHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAXHU1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6NA100SXHSSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | SDF6NA100SXHSSN |
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