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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI10535
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, FM-2 | ASI10535 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10529
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, | ASI10529 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10545
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, FM-2 | ASI10545 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10569
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, FM-2 | ASI10569 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10552
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, | ASI10552 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10589
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-6 | ASI10589 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10579
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.380 INCH, FM-4 | ASI10579 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10586
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, | ASI10586 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
516BSI10.50K0.25%10
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 10500ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, | 516BSI10.50K0.25%10 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ASI10575
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, | ASI10575 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||