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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8086
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.0166ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8086 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A08-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A08-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8106(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8106(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8054-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.0213ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8054-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8107-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8107-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8026(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8026(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A02-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A02-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8024(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8024(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8105(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8105(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8062-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8062-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8121
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8121 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12LQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8023-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8023-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8102
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8011-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8011-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8086(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8086(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8075(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8075(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8050-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8050-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8050-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8050-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A05-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A05-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8053-H(T2L1,VM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8053-H(T2L1,VM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12LQM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8083(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8083(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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