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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8018-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8018-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8075(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8075(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A05-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A05-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8055-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8055-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12LQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8086(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8086(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8086(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8086(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A05-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0172ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A05-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8051-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8051-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8075(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8075(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8106(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8106(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8104(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8104(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8104(TE12LQ)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8104(TE12LQ) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A08-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A08-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8121(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8121(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8028-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8028-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8026(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8026(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8091-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8091-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8039-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8039-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8083
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8083 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8054-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.0213ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8054-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8021-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8021-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8107-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8107-H(TE12L,Q) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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