Showing 25 of 311 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
JAN2N7268
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JAN2N7268 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANS2N7262
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANS2N7262 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSR2N7261
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSR2N7261 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSF2N7261
Defense Logistics Agency
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSF2N7261 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTXVR2N7262
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANTXVR2N7262 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANS2N7269
Defense Logistics Agency
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7269 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSG2N7262U
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7262U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANS2N7262U
Defense Logistics Agency
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANS2N7262U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANKCAH2N7261
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANKCAH2N7261 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTXVH2N7262
Defense Logistics Agency
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANTXVH2N7262 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANKCAH2N7268
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANKCAH2N7268 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSH2N72610U
Defense Logistics Agency
|
0 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSH2N72610U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANS2N7261
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANS2N7261 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSG2N7262
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | JANSG2N7262 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSG2N7268U
Defense Logistics Agency
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7268U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSG2N7262U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7262U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANKCAH2N7269
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANKCAH2N7269 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTXVH2N7268U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANTXVH2N7268U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSH2N7262
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | JANSH2N7262 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTXV2N7269U
Defense Logistics Agency
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANTXV2N7269U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTXVF2N7261U
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor | JANTXVF2N7261U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JAN2N7262
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JAN2N7262 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
VH2N7269
Infineon Technologies AG
|
0 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | VH2N7269 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANS2N7269
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANS2N7269 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANSH2N7261
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSH2N7261 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||