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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2513-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | 45A, 60V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 2SK2513-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2553(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 | 2SK2553(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2595AXUB
Hitachi Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2595AXUB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2595AXTB
Hitachi Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2595AXTB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2562-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 2SK2562-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK259H
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK259H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2541-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2541-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2539(AK)TB
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, TO-236 | 2SK2539(AK)TB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2552CEJ-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,320UA I(DSS),SC-75 | 2SK2552CEJ-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2569ZN-TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.2A, 50V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SK2569ZN-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2552BCE-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,90UA I(DSS),SC-75 | 2SK2552BCE-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2593GP
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, 3 PIN | 2SK2593GP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2552CEJ-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,320UA I(DSS),SC-75 | 2SK2552CEJ-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2552BCE-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,90UA I(DSS),SC-75 | 2SK2552BCE-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2514-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-88, 3 PIN | 2SK2514-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2570ZL
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.2A, 20V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SK2570ZL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2554
Renesas Electronics Corporation
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1 | 75A, 60V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | 2SK2554 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2552BCE-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,90UA I(DSS),SC-75 | 2SK2552BCE-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2528-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, SC-65, TO-3P, 3 PIN | 2SK2528-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2532
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.39ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ZP, 3 PIN | 2SK2532 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2553(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2553(S)-(1) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2552C-EH
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, USM, SC-75, 3 PIN | 2SK2552C-EH |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2596BX
Hitachi Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2596BX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2596BX
Renesas Electronics Corporation
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1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, SC-62, UPAK-4 | 2SK2596BX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2520-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN | 2SK2520-01MR |
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