Showing 25 of 561 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STDAPT80.000
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom | FC4STDAPT80.000 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020JFLLE3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 800V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020JFLLE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8015JVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 800V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8015JVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8043SFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8043SFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CS-427-DPF-APT8B
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | CS-427-DPF-APT8B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2FLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2FLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020LLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT8020LLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8011JFLLE3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 800V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8011JFLLE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60B2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60B2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STBAPT80.000
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom | FC4STBAPT80.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8075BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8DQ60K
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC | APT8DQ60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 7A, 800V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT801R2CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JDF3
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES | APT80GP60JDF3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STEAPT80.000
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom | FC4STEAPT80.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX-427-DFC-APT8A
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DFC-APT8A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA60B2D40
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 143A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT80GA60B2D40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030JN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8058HVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8058HVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024LVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264 | APT8024LVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8018JN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 800V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8018JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8M100B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 1000V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB | APT8M100B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT84M50L
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 500V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT84M50L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8011JFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 800V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8011JFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||