Showing 25 of 1244 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100DL60S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon | APT100DL60S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10040LVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10040LVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10030L2VFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1000V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10030L2VFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10040B2VFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10040B2VFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10045B2FLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10045B2FLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10035B2LLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10035B2LLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1004R2BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 4A, 1000V, 4.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1004R2BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10086BFLC
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 13A, 1000V, 0.86ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT10086BFLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10086BLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT10086BLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10050LVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10050LVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1HVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT1001R1HVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M09B2VFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10M09B2VFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M25BVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT10M25BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RBN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 11A, 1000V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1001RBN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100M50J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 500V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT100M50J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10088HVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 0.88ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT10088HVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10050LVFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10050LVFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10078SFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10078SFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10090SLLG
Microchip Technology Inc
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0 | MOSFET MOS 7 1000 V 900 mOhm TO-268 | APT10090SLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002RBN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 7A, 1000V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1002RBN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10045B2LL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10045B2LL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10040LVFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10040LVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M11LVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10M11LVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 10.5A, 1000V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT1001R1BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT1001R1BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||