Showing 25 of 495 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4016BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT4016BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4030BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18.5A, 400V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT4030BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GP60B2DQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT40GP60B2DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4016BVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4016BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GF100BN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT40GF100BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ60BCTG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247AD | APT40DQ60BCTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4080GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 7.5A, 400V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 | APT4080GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M35PVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M35PVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M80DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M80DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ60SG
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon | APT40DQ60SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ100B
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT40DQ100B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4018BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 400V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4018BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40N60JCU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40N60JCU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GF120JRD
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT40GF120JRD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4014HVR
Microchip Technology Inc
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0 | Mosfet _ CUSTOM | APT4014HVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4014HVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 400V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT4014HVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4020HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 23.5A, 400V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | APT4020HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M35JVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M35JVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4015AVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 400V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | APT4015AVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ60BCTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247AD | APT40DQ60BCTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT40GF120JRDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4040BNR-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4040BNR-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M70JVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M70JVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40M90JN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M90JN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4016BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4016BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||