Showing 25 of 1011 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010JLLU3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5010JLLU3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M75LLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT50M75LLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5016BFLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5016BFLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024BVRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5024BVRG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50DL60BCT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT50DL60BCT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GS60BRDL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GS60BRDL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020BNF
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5020BNF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT501R1AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 7.5A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | APT501R1AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M85LVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 500V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT50M85LVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5014LFLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT5014LFLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60BRDL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GT60BRDL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024AVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | APT5024AVR |
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APT50M60DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT50M60DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M38JFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 500V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M38JFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5040BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5040BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5018SLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5018SLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GP60BG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GP60BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5030BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5030BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50DL60S
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon | APT50DL60S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5018SLLG/TR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5018SLLG/TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5040KFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | APT5040KFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5017HLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5017HLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010JLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5010JLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020SLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT5020SLC |
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APT50DL60BCTE3
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT50DL60BCTE3 |
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