Showing 25 of 291 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G27LS-40P
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G27LS-40P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G38LS-100,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G38LS-100,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G22-180PN,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G22-180PN,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G20LS-110,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G20LS-110,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G10-135RN
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G10-135RN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G38-50
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G38-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G20-40,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G20-40,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G22-45
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G22-45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G10S-4
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G10S-4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G20-110,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G20-110,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G38-10G,118
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G38-10G,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G38-100,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G38-100,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G20S-230PRN
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G20S-230PRN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G10LS-135R
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G10LS-135R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G38-50
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G38-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G27S-45,112
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G27S-45,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G20-180P
Philips Semiconductors
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1 | Transistor | BLF6G20-180P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G22L-40BN,118
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G22L-40BN,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G22L-40P
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G22L-40P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G20S-45,118
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G20S-45,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G20LS-140,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G20LS-140,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G27S-45
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G27S-45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G22-180PN
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G22-180PN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G38-10,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G38-10,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G22LS-130
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G22LS-130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||