Showing 25 of 1481 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-030PBF |
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IRF3710-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-003 |
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IRF3415-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF332R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF332R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ABCIRF-3263PP
AB Connectors Ltd
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1 | 5 CONTACT(S), MALE, CIRCULAR CONNECTOR, SOLDER, RECEPTACLE | ABCIRF-3263PP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF353
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF353 |
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IRF320
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF320 |
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IRF3709ZCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3706TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3706TRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-018PBF |
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IRF350EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350EPBF |
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IRF3707ZCSTRRP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707ZCSTRRP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3708SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3708SPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3315STRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709STRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRF3007 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3808L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3808L |
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IRF320
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF320 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF323
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF323 |
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AUIRF3504
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 87A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AUIRF3504 |
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