Showing 25 of 517 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100S75.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 75ohm, 5% +/-Tol | IRF100S75.00OHMSJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC15.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 15ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC15.00OHMSJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010EZLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1010EZLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010ZL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1010ZL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-029PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1018ESLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1018ESLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100C75.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 75ohm, 5% +/-Tol | IRF100C75.00OHMSJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NS10.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 10ohm, 5% +/-Tol | IRF100NS10.00OHMSJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC2.00KOHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 2000ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC2.00KOHMSJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1018ESTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 79A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1018ESTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||