Showing 25 of 370 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1310N-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310N-029 |
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IRF1302LTRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1302LTRL |
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IRF1310-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-012 |
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IRF130ED
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF130ED |
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IRF1310-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-005 |
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IRF1310-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-010PBF |
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IRF1310N-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310N-015 |
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IRF130EC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF130EC |
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IRF130-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF130-JQR-BR1 |
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IRF1310-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-029 |
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IRF130
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,14A I(D),TO-204AA | IRF130 |
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IRF130EA
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF130EA |
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IRF1310-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-005PBF |
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IRF1310N-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310N-017 |
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IRF1302L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1302L |
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IRF130SMD-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF130SMD-JQR-B |
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IRF1310N-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310N-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF132
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF132 |
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IRF1310NS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF1310NS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1310-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-031PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF132
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF132 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1310N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310N |
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IRF1310NSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF1310NSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF130EC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF130EC |
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IRF1310-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1310-009PBF |
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