Showing 25 of 330 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF512-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510STRL
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | IRF510STRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF513-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510WC
Motorola Mobility LLC
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1 | 4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF510WC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
Supertex Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF513-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.9A, 100V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF512-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,5.6A I(D),TO-220AB | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,4A I(D),TO-220AB | IRF510 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRF510PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF511-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF512
Microchip Technology Inc
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,4.9A I(D),TO-220AB | IRF512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF511-004PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||