Showing 25 of 294 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6603TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 92A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6603TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6635PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6635PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6602TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 20V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6602TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6631
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6631 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6621TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6621TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6609TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 20V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6609TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6616PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6616PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6604PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6604PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6645
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6645 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6636TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6636TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6623TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6623TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6623TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6623TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6637TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6637TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6629PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6629PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6621
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6621 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6665TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6665TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6678TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6678TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6629TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6629TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6631TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6631TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6678PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6678PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6618PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6618PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||