Showing 25 of 423 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 400V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF722PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF723-013PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721-004 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF722-004 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 400V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF722-004PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7203
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7203 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7240TRPBF
International Rectifier
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1 | Transistor | IRF7240TRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.8A, 400V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF722 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721
National Semiconductor Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,3.3A I(D),TO-220AB | IRF721 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF722-006 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-024 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721-011PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723R
Intersil Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,2.8A I(D),TO-220AB | IRF723R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720AJ
Motorola Mobility LLC
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1 | 3A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF720AJ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7204TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF7204TR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720_R4943
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF720_R4943 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 400V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF722-011PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7201TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7201TRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF723
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF723 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF720PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | IRF720PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF722-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF722-001PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF721-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 3.3A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF721-009PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF721-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721-001 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||