Showing 25 of 1135 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9522-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9522-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9542-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9542-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9510-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9510-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9533-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9533-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9523-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 80V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9523-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9531-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9531-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9542-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9542-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9522-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9522-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9511
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9513-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 80V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9513-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9541
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRF9541 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9512-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9512-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9521-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9521-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9533-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9533-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9543-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9543-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9541-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9541-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9543-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9543-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9540-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9540-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9531-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9531-001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9510-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9510-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-018PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9521-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9521-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||