Showing 25 of 904 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9620FX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9620FX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9610FPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9610FPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9631-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9631-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9643
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9643 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9631-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9631-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9631-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9631-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9642-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9642-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9630-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9613-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 150V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9613-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9631-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9631-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9632
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRF9632 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9632
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9632 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9620-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9620-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9622-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9622-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9620-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9620-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9630-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9622-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9622-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9643
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9643 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9610-004PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9610-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9633-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9633-011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9622-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9622-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9643-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9643-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9611PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 150V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9611PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||