Showing 25 of 295 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP244
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP244 |
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IRFP237
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFP237 |
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IRFP252
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP231
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP231 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP23N50L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP23N50L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
Littelfuse Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP247
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP247 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP250PBF |
0
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IRFP250A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP250R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP27N60KPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP27N60KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP22N60KPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP22N60KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP240R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP240R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP244
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP244 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP255
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP255 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP22N50A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP22N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP26N60L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP26N60L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP222
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP222 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP245
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP245 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP241R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP241R |
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IRFP254
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254 |
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