Showing 25 of 342 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR221
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR221 |
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IRFR2405TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405TRPBF |
0
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IRFR224TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR224TR |
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IRFR220NTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220NTR |
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IRFR210
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR210 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2405TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405TR |
0
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IRFR224BTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR224BTM |
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IRFR2905ZTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2905ZTR |
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IRFR210BTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR210BTF |
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IRFR2209A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2209A |
0
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IRFR2405
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405 |
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IRFR220B
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220B |
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IRFR220B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220B |
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IRFR220
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220 |
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IRFR214BTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR214BTM |
0
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IRFR222
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR222 |
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IRFR224PBF
Vishay
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1 | IRFR224PBF, N-channel MOSFET Transistor, 3.8 A 250 V, 3-Pin D-PAK | IRFR224PBF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2605PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2605PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220_R4941
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR220_R4941 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2905ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2905ZTRRPBF |
0
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IRFR2605TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2605TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2307ZTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2307ZTRPBF |
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IRFR220TR
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR220TR |
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IRFR210TRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR210TRLPBF |
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IRFR224BTM_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR224BTM_FP001 |
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