Showing 25 of 353 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR9110
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | IRFR9110 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9010PBF
Vishay
|
1 | TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | IRFR9010PBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9220TRLPBF
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | IRFR9220TRLPBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110TRLPBF
Vishay
|
1 | TRANSISTOR 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | IRFR9110TRLPBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9120N
Infineon
|
1 | Transistor, MOSFET, P Channel, | IRFR9120N |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9N20D
Infineon
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9N20D |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9214
Vishay
|
1 | TRANSISTOR IRFR9214 | IRFR9214 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9020TRLPBF
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | IRFR9020TRLPBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9111
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9111 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Transistor | IRFR9110 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9010PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | IRFR9010PBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9N20DPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9N20DPBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR91209A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR91209A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9211
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9211 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9210
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Transistor | IRFR9210 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110TRLPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9110TRLPBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9210
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9210 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110TRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9110TRPBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9121TR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9121TR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9214TRL
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRFR9214TRL |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9222
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9222 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9212TR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9212TR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024TF
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Transistor | IRFR9024TF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9024PBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9220
Intersil Corporation
|
1 | 3.6A, 200V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | IRFR9220 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||