Showing 25 of 317 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57234SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57234SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJC9A3034
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJC9A3034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ9A7234
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ9A7234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7430SESCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ7430SESCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57Z30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57Z30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7230SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ7230SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ53034B
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ53034B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ53Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ53Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ593230SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.505ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ593230SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ594130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ594130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ54034PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ54034PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ53130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ53130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ63234
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 250V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ63234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ593034CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ593034CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ5S93230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.505ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ5S93230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ54130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ54130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJC67230SCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJC67230SCV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7330SESCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ7330SESCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57Z30PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597260PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ597260PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57Z30SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57Z30SCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ593130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ593130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ67230SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ67230SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ8230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ8230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ67C30
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ67C30 |
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