Showing 25 of 473 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4C35NT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C35NT1G |
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NTMFS4841NT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor | NTMFS4841NT3G |
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NTMFS4701NT3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4701NT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS5C426NLT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on); SO-8FL package (5x6); Low input capacitance; RoHS Compliant | NTMFS5C426NLT1G |
1
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NTMFS5844NLT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low Capacitance; Optimized Gate Charge; RoHS Compliant | NTMFS5844NLT1G |
1
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NTMFS034N15MC
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1 | Shielded Gate MOSFET Technology; Max rDS(on) = 31mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A ; Max rDS(on) = 36.5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 6 A ; 50% Lower Qrr than other mosfet suppliers; Lowers Switching noise /EMI; MSL1 Robust Package Design; 100% UIL Tested; ROHS Compliant | NTMFS034N15MC |
1
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NTMFS5C404NT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low input capacitance; Maximum junction temperature of 175C | NTMFS5C404NT1G |
1
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NTMFS5C423NLT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low Input Capacitance; Maximum junction temperature of 175C; RoHS Compliant | NTMFS5C423NLT1G |
1
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NTMFS4C09NT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses; Low Capacitance to Minimize Driver Losses; Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses; RoHS Compliant | NTMFS4C09NT1G |
1
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NTMFS5H615NLT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on); Marketing leading FOM; RoHS Compliant | NTMFS5H615NLT1G |
1
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NTMFS5H409NLT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low input capacitance; RoHS Compliant | NTMFS5H409NLT1G |
1
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NTMFS5C612NL3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 226A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS5C612NL3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4826NET1G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4826NET1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS1D7P02P8ZT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 226A I(D), 20V, 0.0028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS1D7P02P8ZT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS5C442NLTT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS5C442NLTT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4C10NT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C10NT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4C09NT1G-001
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C09NT1G-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4935NCT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4935NCT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4C025NT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.00341ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C025NT3G |
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NTMFS4C810NAT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.00588ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C810NAT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS6H858NT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 80V, 0.0342ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS6H858NT1G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS5C430NT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 185A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS5C430NT3G |
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NTMFS4833NST1G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4833NST1G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS5C612NLT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS5C612NLT3G |
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NTMFS4827NET3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4827NET3G |
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