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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BQC208-10N
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PQFP208 | EPM7512BQC208-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BQC208-7N
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PQFP208 | EPM7512BQC208-7N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BFI256-6
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 6ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512BFI256-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PM75-121K
JW Miller
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1 | General Purpose Inductor, 120uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD | PM75-121K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEFC256-7N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 7.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEFC256-7N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEFC256-7N
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 7.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEFC256-7N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEBC256-10N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEBC256-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AETC144-10
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PQFP144 | EPM7512AETC144-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BFI256
Altera Corporation
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1 | EE PLD, CMOS, PBGA256 | EPM7512BFI256 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BFI256-7N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512BFI256-7N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BTI144-10
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PQFP144 | EPM7512BTI144-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BUI169-10
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA169 | EPM7512BUI169-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP2512100PPM7.51%BTRR0151
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 7.5ohm, 250V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 2513, | HCHP2512100PPM7.51%BTRR0151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BUC169-10
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA169 | EPM7512BUC169-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP2512100PPM7.51%GR0151E4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 7.5ohm, 250V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 2513, | HCHP2512100PPM7.51%GR0151E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEFC256-12N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 12ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEFC256-12N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AETC144-10N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PQFP144 | EPM7512AETC144-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEFC256-10N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512AEFC256-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCHP0805100PPM7.51%BR0151
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 7.5ohm, 150V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0805, | HCHP0805100PPM7.51%BR0151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APM7512NFC-PBL
American Power Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APM7512NFC-PBL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BBI256-10N
Altera Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512BBI256-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BFI256-7
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | EPM7512BFI256-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512AEQI208-10N
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PQFP208 | EPM7512AEQI208-10N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BUI169-7
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 7.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA169 | EPM7512BUI169-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EPM7512BTC144-5
Intel Corporation
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1 | EE PLD, 5.5ns, 512-Cell, CMOS, PQFP144 | EPM7512BTC144-5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||