Showing 25 of 12146 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1211UKG4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | D1211UKG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PXAC261212FC-V1-R0
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PXAC261212FC-V1-R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MGFC1801-A02
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | MGFC1801-A02 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLA6H0912L-1000
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLA6H0912L-1000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VRF2933MPG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | VRF2933MPG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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934065321112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 934065321112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFC261402FCV1R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFC261402FCV1R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTF081301F
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTF081301F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A2T18H100--25SR3
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | A2T18H100--25SR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FPD750SOT343CECEE
Qorvo
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD750SOT343CECEE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB183408SVV1R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB183408SVV1R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF6P21190HR6
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MRF6P21190HR6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTVA120501EA-V1-R2
MACOM
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTVA120501EA-V1-R2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1211UK-P
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | D1211UK-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLA6G1011-200R,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLA6G1011-200R,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF888B,112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF888B,112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTVA120121MV1R1K
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTVA120121MV1R1K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AGR19125EF
Qorvo
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AGR19125EF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF281SR1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MRF281SR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE8500200-RG-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NE8500200-RG-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CLF1G0060S-10
Rochester Electronics LLC
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1 | CLF1G0060S-10 - 10W Broadband RF power GaN HEMT | CLF1G0060S-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLL1500IU-2C
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLL1500IU-2C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MGFK25M4045
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | MGFK25M4045 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF6VP2600HR6
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MRF6VP2600HR6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF7G22L-160,118
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G22L-160,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||