Showing 25 of 451 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMF50SFRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 510ohm, 300V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMF50SFRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSFRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 510ohm, 350V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel | MMF1WSFRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF207DRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.6W, 510000ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF207DRF510K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRF5100D0G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC | MBRF5100D0G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RK1BLT52RF5105
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 51000000ohm, 1000V, 1% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RK1BLT52RF5105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSDRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 510ohm, 350V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF1WSDRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR500FTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 5W, 510ohm, 700V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR500FTRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-019PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR050SFTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR050SFTRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF51016
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF51016 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR200FTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 510ohm, 500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR200FTRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510
Texas Instruments
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1 | 5.6A, 100V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF510 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-009PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-25CRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 510ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-25CRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR050GTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR050GTRF510R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510SPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510S
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510S |
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