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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V03-A-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V03-A-RR-FS3BAR-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3306PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3306PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS33N15DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS33N15DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0505W365RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.4W, 365ohm, 22.6053V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP | RCP0505W365RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C07-A-UC-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 2500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C07-A-UC-RR-FS3BAR-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS3273KC
Digital RF Solutions Corp
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1 | Memory IC | DRFS3273KC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3207ZTRRPBF
Infineon
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1 | MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg | IRFS3207ZTRRPBF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3307ZTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3307ZTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C03-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Capacitive Sensor, | 3820-C03-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS3273CPC
Digital RF Solutions Corp
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1 | Memory IC | DRFS3273CPC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-RR-FS3BAR-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS3273PC
Digital RF Solutions Corp
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1 | Memory IC | DRFS3273PC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C04-A-UC-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C04-A-UC-RR-FS3BAR-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR020RFS-32-17PW-F80-T39
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR020RFS-32-17PW-F80-T39 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0505W309RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.4W, 309ohm, 20.799V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP | RCP0505W309RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3607TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3607TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3004TRL-7P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS3004TRL-7P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS33N15D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS33N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS31N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS31N20DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3307TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3307TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR02RFS-36-54S-F80-T12
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 39 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | CIR02RFS-36-54S-F80-T12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS330
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512B133RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 133ohm, 21.5754V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512B133RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR020RFS-32-17P-F80-T39
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR020RFS-32-17P-F80-T39 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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