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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR020RFS-32-17P-F80-T39
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR020RFS-32-17P-F80-T39 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3207ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3207ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS38N20DTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS38N20DTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V03-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V03-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V07-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 2500Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V07-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP1206B715RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2.4W, 715ohm, 41.4246V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 1206, CHIP | RCP1206B715RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512B243RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 243ohm, 29.1633V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512B243RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C03-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Capacitive Sensor, | 3820-C03-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-RR-FS3BAR-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LGC-RFS3
Honda Tsushin Kogyo Co Ltd
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1 | Fiber Optic SC Connector, Single Mode, Simplex, Plug | LGC-RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3307TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3307TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS3273CPC
Digital RF Solutions Corp
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1 | Memory IC | DRFS3273CPC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C07-A-UC-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 2500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C07-A-UC-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS30N20DTRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS30N20DTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C04-A-UC-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Capacitive Sensor, | 3820-C04-A-UC-RR-FS3BAR-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V221MI6#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 220uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V221MI6#5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS31N20DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS31N20DTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR02RFS32A-13P-F80-VO
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 13 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | CIR02RFS32A-13P-F80-VO |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FM809RFS3
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Voltage Supervisor/Reset IC, Fixed, 1 Channel, +2.63V, CMOS, PDSO3 | FM809RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS340A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS340A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V330MH3#5N
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 33uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V330MH3#5N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C05-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C05-A-RR-FS3BAR-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS330
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512B133RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 133ohm, 21.5754V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512B133RFS3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3107TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3107TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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