Showing 25 of 237 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3806PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3806PBF |
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IRFSL3607
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3607 |
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IRFSL31N20DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL31N20DPBF |
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IRFSL3307PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3307PBF |
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AUIRFSL3207Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | AUIRFSL3207Z |
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IRFSL3006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL33N15DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL33N15DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFSL3206
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | AUIRFSL3206 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFSL3004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | AUIRFSL3004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3107PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3107PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3607PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3607PBF |
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IRFSL33N15D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL33N15D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3207PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3207PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL31N20D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL31N20D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3306PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3306PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3107
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3107 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL38N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL38N20DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFSL3607
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | AUIRFSL3607 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL31N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL31N20D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3307
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3307 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL38N20D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL38N20D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL3607PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3607PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFSL31N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL31N20DPBF |
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IRFSL3806PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFSL3806PBF |
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