Showing 25 of 415 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPC8092(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8092(TE12L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8092(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8092(TE12L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC816S1DRAG
Taiwan Semiconductor
|
1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816S1DRAG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8045-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8045-H(TE12L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8A04-H
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A04-H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8014(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8014(TE12L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8402
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8402 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8120(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8120(TE12L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8059-H
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8059-H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC816MCC9G
Taiwan Semiconductor
|
1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816MCC9G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8111(T2LIBM2,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8111(T2LIBM2,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8124(TE12LVM)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8124(TE12LVM) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC-8
Eaton Corporation
|
1 | Electric Fuse, 8A, 80VDC, 100000A (IR), Inline/holder | TPC-8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8032-H
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8032-H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8063-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8063-H(TE12L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC817DC9G
Taiwan Semiconductor
|
1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817DC9G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8053-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 60V, 0.0242ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8053-H(TE12L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8106-H
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8106-H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8074
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8074 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC82B18
STMicroelectronics
|
1 | RVS Blocking BOD, 99V V(BO) Max, TO-220AB | TPC82B18 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8029(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8029(TE12L,Q) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8210
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8210 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8228-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8228-H(TE12L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8132(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8132(TE12L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TPC8033-H
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8033-H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||