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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8107-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8107-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8026(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8026(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A04-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A04-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8030-H(TE12L,Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8030-H(TE12L,Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8109(TE12L1,V
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8109(TE12L1,V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8011-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 20V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8011-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8048-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8048-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8108(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8108(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8024(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8024(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8062-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8062-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8123
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0149ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12LQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A02-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A02-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8121
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8121 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8016-H(TE12L,Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8016-H(TE12L,Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8064-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8064-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8082(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8082(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8054-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8054-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8105(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8105(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A08-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A08-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8086
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.0166ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8086 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8018-H(TE12LQM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8018-H(TE12LQM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8085
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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