Showing 25 of 426 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840LC-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840LC-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840HPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840HPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF842-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF842-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840LCSTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF840LCSTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840-031PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840S
Transys Electronics Limited
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1 | Transistor | IRF840S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF841-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 8A, 450V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF841-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840
Comset Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840LCS
Transys Electronics Limited
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1 | Transistor | IRF840LCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF842-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF842-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF842-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF842-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF843-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 7A, 450V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF843-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840BPBF-BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840BPBF-BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840D1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF842
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF842 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840LCSTRR
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840LCSTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF843-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF843-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840LC-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840LC-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840LC-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF840LC-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF840STRL
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF840STRL |
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