05N60 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PJMP105N60FRC
PANJIT
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1 | Super Junction MOSFET (600-650V) - PJMP105N60FRC, N Channel, 35A, 600V, TO-220AB-L | Transistor Outline, Vertical | PJMP105N60FRC |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HI0805N600R-10
Laird Technologies
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1 | Ferrite Beads Broadband,1Ln 0805,HI | Ferrite Bead Chip | HI0805N600R-10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB105N60EF-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) | Other | SIHB105N60EF-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PJMB105N60FRC
PANJIT
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1 | Super Junction MOSFET (600-650V) - PJMB105N60FRC, N Channel, 35A, 600V, TO-263AB | Other | PJMB105N60FRC |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PJMH105N60FRC
PANJIT
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1 | Super Junction MOSFET (600-650V) - PJMH105N60FRC, N Channel, 35A, 600V, TO-247AD-3LD | Other | PJMH105N60FRC |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCW105N60FH-BP
MCC
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1 | Low On-resistance and Low Conduction Loss• Super Junction technology for High Voltage Application• Soft Switching with Fast Reverse Recovery Diode• Ultra Low Gate Charge Cause Lower Driving Requirement• Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating• Halogen Free."Green "Device(Note 1)• Lead Free Finish/RoHS Compliant. "P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information | Transistor Outline, Vertical | MCW105N60FH-BP |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PJMF105N60FRC
PANJIT
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1 | Super Junction MOSFET (600-650V) - PJMF105N60FRC, N Channel, 35A, 600V, ITO-220AB-F | Other | PJMF105N60FRC |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 05N60L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60G-CB-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 05N60G-CB-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60L-CB-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 05N60L-CB-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60G-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 05N60G-CB-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60G-CB-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 05N60G-CB-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60L-CB-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 05N60L-CB-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60G-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 05N60G-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60G-CB-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 05N60G-CB-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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05N60L-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 05N60L-CB-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805N600G160CT
Walsin Technology Corporation
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 2% +Tol, 2% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00006uF, Surface Mount, 0805 | 0805N600G160CT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMV05N60E
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FMV05N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RG1005N-60R4-B-T1
Susumu Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.0625W, 60.4ohm, 25V, 0.1% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 0402 | RG1005N-60R4-B-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPI-0805N-60R4B
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 60.4ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT | TPI-0805N-60R4B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805H2005N60KXR
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 200V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.0056uF, Surface Mount, 0805 | 0805H2005N60KXR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805H1005N60KXR
Knowles Capacitors
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.0056uF, Surface Mount, 0805 | 0805H1005N60KXR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMG05N60DT1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-261 | MMG05N60DT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MGS05N60D
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-226AE | MGS05N60D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RG1005N-60R4-B-TA
Susumu Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.0625W, 60.4ohm, 25V, 0.1% +/-Tol, -10,10ppm/Cel, 0402, | RG1005N-60R4-B-TA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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