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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V | Other | IQE036N08NM6SCATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM60L-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-92 | 08NM60L-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65L-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 6.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 08NM65L-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM60G-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | 08NM60G-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM60G-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-92 | 08NM60G-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65L-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 6.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 08NM65L-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65G-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 08NM65G-V-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM60G-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-92 | 08NM60G-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65G-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 6.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 08NM65G-T92-B |
0
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08NM65G-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 6.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 08NM65G-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM60G-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | 08NM60G-AB3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65G-FD-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 08NM65G-FD-TN3-R |
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08NM65L-FD-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 08NM65L-FD-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65L-V-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 08NM65L-V-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65G-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 6.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 08NM65G-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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08NM65G-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 650V, 6.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 08NM65G-AB3-R |
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08NM60L-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-92 | 08NM60L-T92-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISC018N08NM6SCATMA1
Infineon
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1 | Infineon TRENCH 40<-<100V | ISC018N08NM6SCATMA1 |
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ISC018N08NM6ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs IFX FET > 60-80V | ISC018N08NM6ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||