Showing 25 of 227 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100NTRPBF
Vishay
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1 | High Performance Schottky Rectifier, 1 A | Diodes Moulded | 10MQ100NTRPBF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS-10MQ100NTRPBF
Vishay
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1 | VISHAY - VS-10MQ100NTRPBF. - DIODE, SCHOTTKY, 2.1A, 100V, SMA | Diodes Moulded | VS-10MQ100NTRPBF |
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VS-10MQ100-M3/5AT
Vishay
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1 | 10MQ100NPBF Vishay VS-10MQ100-M3/5AT, SMT Schottky Diode, 100V 1.5A, 2-Pin DO-214AC | Diodes Moulded | VS-10MQ100-M3/5AT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VS-10MQ100HM3/5AT
Vishay
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1 | Low forward voltage drop Guard ring for enhanced ruggedness and longterm reliability Small footprint, surface mountable High frequency operation Meets MSL level 1, per J-STD-020,LF maximum peak of 260 °C | Diodes Moulded | VS-10MQ100HM3/5AT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | 10MQ100N Schottky barrier diode in SMA package, 100 V maximum recurrent peak reverse voltage, 2.1 A maximum average forward rectified current, low forward voltage drop, surface mount device for industrial applications. | 10MQ100N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount Schottky barrier diode 10MQ100 with SMA/DO-214AC package, 1.0 A average rectified current, 100 V DC blocking voltage, low forward voltage drop, and operating temperature range from -65 to +125 °C.Surface mount Schottky barrier diode in SMA/DO-214AC package, 1.0 A average rectified current, 30 to 100 V DC blocking voltage, low forward voltage drop, rated for operating junction temperature from -65 to +125°C. | 10MQ100 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ150N-T3
Sensitron Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | 10MQ150N-T3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N
Sensitron Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100NTR
International Rectifier
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100NTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ150N-GT3
Sensitron Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | 10MQ150N-GT3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100NTRPBF
International Rectifier
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100NTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ150N
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | 10MQ150N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N-G
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon | 10MQ100N-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100NPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100NPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N
International Rectifier
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N-G
Sensitron Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon | 10MQ100N-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ150N
Sensitron Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | 10MQ150N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100TR
International Rectifier
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N-S
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100N-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100NPBF
International Rectifier
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100NPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100N
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon | 10MQ100N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ150N-G
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | 10MQ150N-G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ150N-GT3
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, Silicon | 10MQ150N-GT3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10MQ100TRPBF
International Rectifier
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon | 10MQ100TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||