12N65 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AOTF12N65
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F | Transistor Outline, Vertical | AOTF12N65 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFA12N65X2
LITTELFUSE
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1 | DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2 | Other | IXFA12N65X2 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STF12N65M2
STMicroelectronics
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1 | STMicroelectronics STF12N65M2 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP | Transistor Outline, Vertical | STF12N65M2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFP12N65X2A
LITTELFUSE
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1 | X2-Class HiPERFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | Transistor Outline, Vertical | IXFP12N65X2A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STP12N65M2
STMicroelectronics
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1 | N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package | Transistor Outline, Vertical | STP12N65M2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STP12N65M5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 650 V, 390 mΩ typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-220FP and TO-220 packages | Transistor Outline, Vertical | STP12N65M5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STD12N65M2
STMicroelectronics
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1 | STMicroelectronics STD12N65M2 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 650 V, 3-Pin DPAK | Other | STD12N65M2 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STY112N65M5
STMicroelectronics
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1 | STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Power MOSFET, N Channel, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Through Hole | Transistor Outline, Vertical | STY112N65M5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STF12N65M5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 650 V, 390 mΩ typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-220FP and TO-220 packages | Transistor Outline, Vertical | STF12N65M5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRS12N65FB
Toshiba
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1 | 650 V/12 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247 | Other | TRS12N65FB |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-TC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65KG-MT-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65KG-MT-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-CBQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65L-CBQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-TC-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65L-TC-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-C-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-C-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 12N65L-T2Q-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-C-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-C-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65G-TC-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-TC-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 12N65L-TC-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65L-TC-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65L-TC-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-TC-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 12N65G-TC-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12N65G-T3N-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 12N65G-T3N-T |
0
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