Showing 25 of 102 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STB15NM60ND
STMicroelectronics
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1 | STB15NM60ND N-Channel MOSFET, 14 A, 600 V FDmesh, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics | Other | STB15NM60ND |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPF026N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 150 V 25A (Ta), 239A (Tc) 3.8W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3x | Other | IPF026N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STFU15NM65N
STMicroelectronics
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1 | N-channel 650 V, 0.35 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package | Transistor Outline, Vertical | STFU15NM65N |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPT025N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package | Other | IPT025N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB051N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package | Other | IPB051N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPF048N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 150 V 18.4A (Ta), 146A (Tc) 3.8W (Ta), 234W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IPF048N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPTG025N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs IFX FET >100-150V | Other | IPTG025N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP057N15NM6AKSA1
Infineon
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1 | OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package | Transistor Outline, Vertical | IPP057N15NM6AKSA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPTC025N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 150 V 26A (Ta), 264A (Tc) 3.8W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2 , 150 V , 8V, 15V , -55°C ~ 175°C (TJ) | Other | IPTC025N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPT034N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package | Other | IPT034N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP029N15NM6AKSA1
Infineon
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1 | Very low on‑resistance RDS(on)• Superior thermal resistance• 100% avalanche tested• Pb‑free lead plating; RoHS compliant• Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 | Transistor Outline, Vertical | IPP029N15NM6AKSA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISC165N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package | Other | ISC165N15NM6ATMA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STF15NM65N
STMicroelectronics
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1 | N-channel 650 V, 0.35 Ω typ., 12 A MDmesh™ II Power MOSFETs in TO-220FP and I²PAKFP packages | Transistor Outline, Vertical | STF15NM65N |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM65L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 15NM65L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM65G-SH-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15NM65G-SH-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM60G-U2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 15NM60G-U2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM65G-U2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 15NM65G-U2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM60L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15NM60L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM60G-U2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 15NM60G-U2-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM65L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | 15NM65L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM60G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15NM60G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM65G-U2-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 15NM65G-U2-T2Q-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM60L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15NM60L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM60G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 15NM60G-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15NM60G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15NM60G-TF1-T |
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