Showing 25 of 643 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFP16N50P3
LITTELFUSE
|
1 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP16N50P3 - MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 500 V, 0.36 ohm, 10 V, 5 V | Transistor Outline, Vertical | IXFP16N50P3 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDP16N50
onsemi
|
1 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3 | Transistor Outline, Vertical | FDP16N50 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDPF16N50UT
onsemi
|
1 | Obsolete - Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, FRFET, 200V, 18A, 140mΩ, TO-220F | Transistor Outline, Vertical | FDPF16N50UT |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
STF16N50M2
STMicroelectronics
|
1 | N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package | Transistor Outline, Vertical | STF16N50M2 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BD1416N50100AHF
ANAREN
|
1 | Ultra Low Profile 0404 Balun 50Ω to 100Ω Balanced 1.4GHz ~ 1.6GHz | Other | BD1416N50100AHF |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IXTH16N50D2
LITTELFUSE
|
1 | Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-247 | Transistor Outline, Vertical | IXTH16N50D2 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
STD16N50M2
STMicroelectronics
|
1 | N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package | Other | STD16N50M2 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50L-TC-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 16N50L-TC-TQ2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TC-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 16N50G-TC-T2Q-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50L-TC-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50L-TC-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-TC-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50L-TC-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50L-TC-TA3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-TA3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50L-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50KG-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50KG-MT-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TC-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-TC-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-ML-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-ML-TF3T-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50L-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-TC-T47S-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 16N50G-TC-T47S-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50G-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50G-MT-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50L-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50L-TC-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
16N50L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 16N50L-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||