Showing 25 of 142 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-A-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Transistor | 1N60G-A-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 1N60G-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-LC1-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 1N60G-LC1-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 1N60G-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-B-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 1N60G-B-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 1N60G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-A-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 1N60G-A-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-B-TB3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 1N60G-B-TB3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 1N60G-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-A-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 1N60G-A-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-A-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 1N60G-A-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-B-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 1N60G-B-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 1N60G-CB-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-A-AA3-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 1N60G-A-AA3-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-LC1-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 1N60G-LC1-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-B-AA3-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 1N60G-B-AA3-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-B-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 1N60G-B-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-KW-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 1N60G-KW-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-KW-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 1N60G-KW-AB3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-TND-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 1N60G-TND-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-HC-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 1N60G-HC-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-LC1-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 1N60G-LC1-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-CB-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 1N60G-CB-TMS2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 1N60G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60G-CB-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 1N60G-CB-T92-K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||