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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60KL-TA-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 1N60KL-TA-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60KG-TA-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 1N60KG-TA-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60KG-TA-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 1N60KG-TA-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60KL-TA-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 1N60KL-TA-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60KG-TA-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 1N60KG-TA-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N60KL-TA-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 1N60KL-TA-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60KR
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60KR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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11N60KL-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 11N60KL-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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11N60KG-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 11N60KG-MT-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RNX-1N60K4FNL05
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2.5W, 60400ohm, 4000V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, | RNX-1N60K4FNL05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60KD
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60KI
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60KI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MHI0201-N60-KBW
RCD Components Inc
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1 | General Purpose Inductor, 0.0006uH, 50%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD | MHI0201-N60-KBW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1N60K
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | BL1N60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MHI0201-N60-KTW
RCD Components Inc
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1 | General Purpose Inductor, 0.0006uH, 50%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD | MHI0201-N60-KTW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RNX-1N60K4FNR48
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2.5W, 60400ohm, 4000V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, | RNX-1N60K4FNR48 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||