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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184,LF
Toshiba
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1 | Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR | SOT23 (3-Pin) | 1SS184,LF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181
Toshiba
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1 | Ultra High Speed Switching Application | SOT23 (3-Pin) | 1SS181 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS187,LF
Toshiba
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1 | Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR | Other | 1SS187,LF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181,LF
Toshiba
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1 | Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR | SOT23 (3-Pin) | 1SS181,LF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS187
Toshiba
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1 | 80 V/0.1 A Switching diode, SOT-346(S-Mini) | Other | 1SS187 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184
Toshiba
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1 | 80 V/0.1 A Switching diode, SOT-346(S-Mini) | Other | 1SS184 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Switching diode 1SS181 in SOT-23 package features low forward voltage, fast reverse recovery time of 4 ns, 80 V DC blocking voltage, 300 mA forward current, and 150 mW power dissipation. | 1SS181 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS187
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Switching diode 1SS187 in SOT-23 package features low forward voltage, fast reverse recovery time of 4 ns, 80 V DC blocking voltage, 300 mA forward current, and 150 mW power dissipation. | 1SS187 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Switching diode 1SS184 in SOT-23 package features low forward voltage, fast reverse recovery time of 4 ns, 80 V DC blocking reverse voltage, 300 mA forward current, and 150 mW power dissipation. | 1SS184 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184
JCET Group
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1 | 1SS184 switching diode in SOT-23 package features 80 V reverse voltage, 300 mA forward current, low forward voltage drop, fast 4.0 ns reverse recovery time, and 150 mW power dissipation. | 1SS184 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181
AK Semiconductor
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1 | 1SS181 SOT-23 switching diode with peak reverse voltage of 85 V, average forward current of 100 mA, fast reverse recovery time of 1.6 ns, and low forward voltage drop of 0.92 V at 100 mA. | 1SS181 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | 1SS184 is a switching diode in SOT-23 package with 85V peak reverse voltage, 80mA forward current, 1.6ns typical reverse recovery time, and 0.9pF typical capacitance. | 1SS184 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181
JCET Group
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1 | SOT-23 packaged 1SS181 switching diode with 80V DC blocking voltage, 300mA forward current, low forward voltage, fast reverse recovery time of 4.0ns max, and 150mW power dissipation. | 1SS181 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS187
JCET Group
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1 | SOT-23 packaged 1SS187 switching diode with low forward voltage, fast reverse recovery time of 1.6 to 4.0 ns, 80V DC blocking voltage, 300mA forward current, and 150mW power dissipation. | 1SS187 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184
Galaxy Microelectronics
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1 | Surface Mount Small Signal Switching Diode; Configuration: Dual,Common Cathode; VRRM Max (V): 80; IAV Max (A): 0.1; VFM Max (V): 1.2; @ IF (A): 0.1; IR Max (UA): 0.5; @VR (V): 80; TRR Max (NS): 4; Pin: F8; Package: SOT-23 | 1SS184 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.05A, 80V V(RRM), Silicon | 1SS184-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS187
EIC Semiconductor Inc
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1 | Rectifier Diode, | 1SS187 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon | 1SS181(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS187TE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon | 1SS187TE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | Switching Diode, 80 V, 0.1 A, 2 in 1, SOT-346 | 1SS181 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181(T5LSIW,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon | 1SS181(T5LSIW,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181(T5LT)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon | 1SS181(T5LT) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS184(T5LSLC,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon | 1SS184(T5LSLC,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181,LF(B
Toshiba America Electronic Components
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon | 1SS181,LF(B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS181
Galaxy Microelectronics
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.05A, Silicon | 1SS181 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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