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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MC0402N101J500CT
Multicomp Pro
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1 | MULTICOMP PRO - MC0402N101J500CT - SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 100 pF, 50 V, 0402 [1005 Metric], ± 5%, C0G / NP0, MC Series | Capacitor Chip Non-polarised | MC0402N101J500CT |
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MLZ2012N101LTD25
TDK
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1 | TDK - MLZ2012N101LTD25 - Multilayer Inductor, AEC-Q200, SHLD, 100 µH, 4.55 ohm, 140 mA, 0805 [2012 Metric], MLZ Series | Inductors Chip | MLZ2012N101LTD25 |
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MLZ2012N101LT000
TDK
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1 | SMD / SMT Inductors (Coils), L=100?H, L x W x T : | Inductors Chip | MLZ2012N101LT000 |
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MC0402N101K500CT
Multicomp Pro
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1 | MULTICOMP PRO - MC0402N101K500CT - SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 100 pF, 50 V, 0402 [1005 Metric], ± 10%, C0G / NP0, MC Series | Capacitor Chip Non-polarised | MC0402N101K500CT |
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R5492N101KL
Ricoh
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0 | One-cell Li-ion Battery Protection IC with High-accuracy Overcurrent Detection | SOT23 (6-Pin) | R5492N101KL |
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RG2012N-101-W-T1
Susumu
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1 | Thin Film Resistors - SMD 1/8W 100 Ohms 0.05% 0805 10ppm | Resistor Chip | RG2012N-101-W-T1 |
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R5492N101KL
Nisshinbo
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1 | The R5492N is a high voltage tolerance protection IC for overcharge, overdischarge, and overcurrent of a\r\nrechargeable one-cell Lithium-ion (Li+) / Lithium-polymer battery. The R5492N supports the voltage release\r\ntype at overcharging / overdischarging. Each output delay time of overcharge, overdischarge, and overcurrent\r\nis fixed internally. But, the delay shortening is able to shorten the detection and the release delay times at\r\novercharging / overdischarging. Especially, the overcharge detection delay t | SOT23 (6-Pin) | R5492N101KL |
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MC0402N101K160CT
Multicomp Pro
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1 | MULTICOMP PRO - MC0402N101K160CT - SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 100 pF, 16 V, 0402 [1005 Metric], ± 10%, C0G / NP0, MC Series | Capacitor Chip Non-polarised | MC0402N101K160CT |
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RG2012N-101-B-T5
Susumu
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1 | Thin Film Resistors - SMD 1/8W 100 Ohms 0.1% 0805 10ppm | Resistor Chip | RG2012N-101-B-T5 |
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1812N101G202CT
Walsin Technology Corporation
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1 | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1812 MLCC NPO 100 pF, +/- 2% 2K V T&R MH | Capacitor Chip Non-polarised | 1812N101G202CT |
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MC0402N101J160CT
Multicomp Pro
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1 | MULTICOMP - MC0402N101J160CT - CAP, MLCC, C0G, 100PF, 16V, 0402 | Capacitor Chip Non-polarised | MC0402N101J160CT |
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0402N101J500CT
Walsin Technology Corporation
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1 | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 100pF 50volts | Capacitor Chip Non-polarised | 0402N101J500CT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GMX-SMT2-N-1010
Kycon
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1 | Modular Connectors / Ethernet Connectors 10P10C R/A SMT BLK LOPRO W/LOCK POSTS | Other | GMX-SMT2-N-1010 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MC0402N101J250CT
Multicomp Pro
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1 | MULTICOMP PRO - MC0402N101J250CT - SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 100 pF, 25 V, 0402 [1005 Metric], ± 5%, C0G / NP0, MC Series | Capacitor Chip Non-polarised | MC0402N101J250CT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B65812N1012D002
TDK
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1 | Ferrite Cores & Accessories BOBBIN RM8 2 SECTION SUMIKON PM 9630 | Other | B65812N1012D002 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1016D
Microsemi Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor | 2N1016D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1015A
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | SIGNAL OR COMPUTER DIODE | 2N1015A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1016B
Silicon Transistor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), NPN | 2N1016B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1015
Silicon Transistor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), NPN | 2N1015 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1015E
Powerex Power Semiconductors
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1 | Transistor | 2N1015E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1016BE3
Microsemi Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor | 2N1016BE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1016A
Spectrum Control
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1 | Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-82, 2 PIN | 2N1016A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1016
Semitronics Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, | 2N1016 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1016CE3
Microsemi Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor | 2N1016CE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N1015
Solid Power Corp
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1 | Transistor | 2N1015 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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